IRF730 Arkusz danych, PDF - Datasheet Search Engine

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

Skrót	IRF730(162) wyniki wyszukiwania.
Dokładny, Podobny	IRF730(20) HIRF730(1) IRF7301(2) IRF7303(5) IRF7304(3) IRF7306(3) IRF7307(3) IRF7309(3) IRF730A(5) IRF730B(5) IRF730F(1) IRF730S(4)
Rozpoczynający się	IRF730(125) IRF7301(5) IRF7303(10) IRF7304(15) IRF7306(9) IRF7307(9) IRF7309(11) IRF730A(22) IRF730B(1) IRF730F(2) IRF730P(5) IRF730S(2)
Kończący się	No Data
Zawierający	IRF730(14)

Producent

IRF730 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "IRF730" - wyników : 147 ( 1/8 Page)

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
NXP Semiconductors	IRF730	59Kb/7P	PowerMOS transistor Avalanche energy rated March 1999 Rev 1.000
STMicroelectronics	IRF730	94Kb/8P	N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Vishay Siliconix	IRF730	134Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF730	277Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF730	156Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF730	177Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
Fairchild Semiconductor	IRF730	898Kb/10P	400V N-Channel MOSFET
Intersil Corporation	IRF730	54Kb/7P	5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
International Rectifier	IRF730	102Kb/8P	SMPS MOSFET
Suntac Electronic Corp.	IRF730	79Kb/3P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF730	95Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF730	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF730	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Nell Semiconductor Co.,...	IRF730	341Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF730	848Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V
First Components Intern...	IRF730	100Kb/3P	6.0A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF730	355Kb/16P	High Power Factor/Low THD
First Silicon Co., Ltd	IRF730	365Kb/6P	6.0A, 400V, 1.0廓 N-CHANNEL POWER MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF730	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF7301	113Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)

12 3 4 5 6 7 8

12 3 4 5 .....

Krótki opis IRF730

IRF730 to MOSFET Power (tranzystor pola-skutka z tlenkiem metal-tlenku) zaprojektowany do szybkich zastosowań przełączających. Jest produkowany przez różnych producentów półprzewodników, w tym Infineon Technologies, na półprzewodnik i inne. Oto kilka kluczowych funkcji i specyfikacji IRF730:

Typ MOSFET: IRF730 to MOSFET MOSFET Ulepszenia N-kanałowego. W MOSFET w trybie wzmacniającym urządzenie prowadzi, gdy napięcie jest przyłożone do terminalu bramkowego, w przeciwieństwie do MOSFET w trybie wyczerpania, które postępują domyślnie do momentu zastosowania napięcia do bramy, aby je wyłączyć.

Oceny napięcia i prądu: IRF730 zwykle działa z oceną napięcia źródłowego (VDS) wynoszącą około 400 woltów oraz ocen ciągłego prądu spustowego (ID) kilku amperów, co czyni go odpowiednim do zastosowań o średniej mocy.

Niska rezystancja: IRF730 ma niską oporność (RDS (ON), co powoduje zmniejszenie strat przewodzenia, gdy MOSFET jest w pełni włączony. Ta cecha jest niezbędna do wydajnego konwersji i przełączania mocy.

Szybkie przełączanie: z niskim ładunkiem bramki i pojemnościami wewnętrznymi IRF730 jest w stanie szybkiego przełączania, dzięki czemu nadaje się do zastosowań wymagających szybkich częstotliwości przełączania, takich jak zasilacze, dyski silnikowe i falowniki.

Pakiet TO-220: IRF730 jest powszechnie dostępny w pakiecie TO-220, który zapewnia dobrą wydajność termiczną i łatwość montażu na radiowcu do rozpraszania ciepła w zastosowaniach o dużej mocy.

Zastosowanie: IRF730 jest powszechnie stosowany w różnych obwodach i zastosowaniach elektronicznych, w tym regulatorach przełączających, przetwornikach DC-DC, obwodach sterowania silnikiem, wzmacniaczach zasilania i przekaźnikach elektronicznych.

Napięcie progowe źródła bramki (VGS (TH)): Napięcie progowe bramki źródła określa minimalne napięcie wymagane między zaciskami bramki a źródłem, aby włączyć MOSFET. Ten parametr różni się w zależności od poszczególnych urządzeń i należy go rozważyć w projektowaniu obwodu.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com