IRF9530 Arkusz danych, PDF - Datasheet Search Engine

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

Skrót	IRF9530(57) wyniki wyszukiwania.
Dokładny, Podobny	IRF9530(10) IRF9530N(4) IRF9530S(4)
Rozpoczynający się	IRF9530(45) IRF9530-(1) IRF9530N(23) IRF9530P(6) IRF9530S*(7)
Kończący się	No Data
Zawierający	IRF9530(1)

Producent

IRF9530 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "IRF9530" - wyników : 56 ( 1/3 Page)

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Samsung semiconductor	IRF9530	508Kb/12P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF9530	378Kb/6P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF9530	566Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF9530	158Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Intersil Corporation	IRF9530	63Kb/7P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
International Rectifier	IRF9530	449Kb/6P	TRANSISTORS
Inchange Semiconductor ...	IRF9530	303Kb/2P	isc P-Channel Mosfet Transistor
SYC Electronica	IRF9530	155Kb/6P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Guangdong Kexin Industr...	IRF9530	1Mb/3P	P-Channel MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF9530	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Seme LAB	IRF9530-220M	18Kb/2P	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
International Rectifier	IRF9530N	113Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530N	2Mb/7P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530N	335Kb/2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NL	173Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530NL	1Mb/10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530NL	273Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NLPBF	758Kb/10P	Advanced Process Technology Surface Mount
	IRF9530NLPBF	767Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF9530NPBF	123Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET

12 3

12 3

Krótki opis IRF9530

IRF9530 to MOSFET kanałów P, który jest rodzajem tranzystora używanego do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. W przeciwieństwie do odpowiedniki N-kanałowego prąd źródłowego MOSFETS w kanale P, gdy napięcie przyłożone do bramki jest mniejsze niż napięcie źródłowe (napięcie ujemnego źródła bramy dla urządzeń trybu wzmacniającego). Są one powszechnie używane w aplikacjach, w których przełączanie obciążenia jest kontrolowane przez uziemienie lub ujemną stronę obwodu.

Kluczowe cechy IRF9530 obejmują:

VDSS (napięcie rozpadu źródła odpływu): Jest to maksymalne napięcie, które można zastosować od drenażu do źródła z bramą zwarta do źródła, która dla IRF9530 wynosi zazwyczaj około -100 V.

ID (ciągły prąd spustowy): IRF9530 może obsłużyć znaczną ilość prądu ciągłego, często ocenianego na około -12A, co czyni go odpowiednim do zastosowań o wysokiej prądu.

RDS (ON) (Odporność źródła drenażu): Odporność w stanie między odpływem a źródłem, gdy MOSFET jest włączony; W przypadku IRF9530 jest to stosunkowo niskie, co pomaga zmniejszyć straty mocy.

VGS (TH) (napięcie progowe bramki): napięcie, przy którym MOSFET zaczyna włączać, co w przypadku urządzeń kanałowych P, takich jak IRF9530, jest napięciem ujemnym, zwykle około -2 V do -4 V.

Rozpraszanie mocy: Maksymalna moc, jaką może rozproszyć IRF9530, jest ważne dla zrozumienia ograniczeń termicznych i zwykle jest to około 48 W.

Pakiet: Jest dostępny w do-220 i podobnych pakietach, które są powszechnie używane do urządzeń zasilających.

Temperatura robocza: Zakres temperatur roboczych jest współczynnikiem stabilności i niezawodności, a dla IRF9530 jest ogólnie od -55 ° C do +150 ° C.

MOSFET Kanał P, takich jak IRF9530, są przydatne w tworzeniu prostszych obwodów napędowych, szczególnie w konfiguracjach przełączania o wysokiej stronie, ponieważ nie wymagają pompy ładowania ani innych złożonych obwodów napędowych, aby zastosować dodatnie napięcie źródła bramy. Są one powszechne w obwodach zarządzania energią, sterowaniem silnikami i innymi aplikacjami do przełączania energii.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com