MMBT5551 Arkusz danych, PDF - Datasheet Search Engine

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

Skrót	MMBT5551(142) wyniki wyszukiwania.
Dokładny, Podobny	MMBT5551(54) TMMBT5551(1) MMBT5551G(1) MMBT5551L(1) MMBT5551T(2) MMBT5551W(4)
Rozpoczynający się	MMBT5551(68) MMBT5551-(25) MMBT5551D(2) MMBT5551G(2) MMBT5551L(26) MMBT5551M(3) MMBT5551W*(2)
Kończący się	MMBT5551(2) -MMBT5551(1)
Zawierający	MMBT5551(5) MMBT5551-(1) MMBT5551L(2)

Producent

MMBT5551 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "MMBT5551" - wyników : 135 ( 1/7 Page)

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
ON Semiconductor	MMBT5551	323Kb/11P	NPN General-Purpose Amplifier June 2013 Rev. 1.1.0
Diodes Incorporated	MMBT5551	128Kb/4P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 11 - 2
ON Semiconductor	MMBT5551	127Kb/6P	High Voltage Transistors NPN Silicon September, 2010 ??Rev. 9
Diodes Incorporated	MMBT5551	47Kb/2P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 4 - 2
ON Semiconductor	MMBT5551	97Kb/6P	High Voltage Transistors December, 2004 ??Rev. 4
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	MMBT5551	194Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
Diodes Incorporated	MMBT5551	419Kb/4P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR DS30061 Rev. 9 - 2
Unisonic Technologies	MMBT5551	51Kb/4P	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Diotec Semiconductor	MMBT5551	102Kb/2P	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Diotec Semiconductor	MMBT5551	98Kb/2P	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Shanghai Shunye Electro...	MMBT5551	840Kb/4P	TRANSISTOR (NPN) V2.22
Weitron Technology	MMBT5551	321Kb/5P	High Voltage NPN Transistors
Micro Commercial Compon...	MMBT5551	68Kb/2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
Fairchild Semiconductor	MMBT5551	222Kb/5P	NPN General Purpose Amplifier
Zowie Technology Corpor...	MMBT5551	84Kb/4P	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON
SeCoS Halbleitertechnol...	MMBT5551	331Kb/3P	General Purpose Transistor
Micro Commercial Compon...	MMBT5551	166Kb/2P	NPN Plastic Encapsulate Transistor
Transys Electronics	MMBT5551	170Kb/2P	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Unisonic Technologies	MMBT5551	149Kb/4P	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Pan Jit International I...	MMBT5551	261Kb/6P	NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

12 3 4 5 6 7

12 3 4 5 .....

Krótki opis MMBT5551

MMBT5551 jest małym sygnałem NPN Tranzystor połączenia (BJT), który jest powszechnie stosowany w zastosowaniach o amplifikacji i przełączaniu o niskiej mocy. Jest to urządzenie do montażu powierzchniowego, które jest dostępne w małym pakiecie SOT-23.

Tranzystor MMBT5551 ma maksymalną ocenę napięcia na emerytalnym wynoszącym 160 V i maksymalną ocenę prądu kolektora 600 mA. Ma również niską liczbę szumów, z typowym HFE (wzmocnienie prądu DC) od 110 do 220 i maksymalne napięcie nasycenia 0,3 V.

Ze względu na niską liczbę szumów i wysoki wzmocnienie tranzystor MMBT5551 jest często stosowany w wzmacniaczach audio o niskiej mocy, przedwzmacniaczach i innych obwodach przetwarzania sygnałów. Może być również używany w aplikacjach przełączania, w których ważne są niskie straty mocy i szybkie prędkości przełączania.

Podczas korzystania z tranzystora MMBT5551 lub dowolnego innego BJT w obwodzie ważne jest, aby zwrócić uwagę na jego pinout i parametry operacyjne, aby upewnić się, że jest odpowiednio stronnicza i działała w bezpiecznych limitach pracy.

Odpowiednik dla MMBT5551

MMBT5551 jest małym sygnałem NPN Tranzystor połączenia (BJT) z maksymalną oceną prądu kolektora 600 mA i maksymalną oceną napięcia na emitera wynoszącą 160 V. Jeśli chcesz wymienić tranzystor MMBT5551, oto kilka opcji, które możesz rozważyć:

2N3904: Jest to szeroko stosowany NPN BJT z maksymalną oceną prądu kolektora 200 mA i maksymalną oceną napięcia kolekcjonera-emitera 40 V. Może być stosowany jako zamiennik tranzystora MMBT5551 w wielu zastosowaniach o niskim napięciu.

BC547: Jest to kolejny NPN BJT z maksymalną oceną prądu kolektora 100 mA i maksymalną oceną napięcia na emitera kolektora 45 V. Jest to popularny zamiennik tranzystora MMBT5551 w wielu niskich aplikacjach.

PN2222A: Jest to NPN BJT z maksymalną oceną prądu kolektora 600 mA i maksymalną oceną napięcia kolekcjonera-emitera 40 V. Ma podobne cechy do tranzystora MMBT5551 i może być używany jako wymiana w wielu aplikacjach.

MPSA42: Jest to NPN BJT o wysokim napięciu z maksymalnym napięciem napięcia-emitera wynoszącym 300 V i maksymalną oceną prądu kolektora 500 mA. Może być stosowany jako zamiennik tranzystora MMBT5551 w zastosowaniach, w których wymagana jest wyższa możliwość napięcia.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com