Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Skrót   TIP122(130) wyniki wyszukiwania.
Dokładny,
Podobny
 TIP122(54) HTIP122(1) TIP122D(1) TIP122F(6) TIP122G(3) TIP122L(2)
Rozpoczynający
się
 TIP122*(37) TIP122-*(9) TIP122F*(7) TIP122L*(6) TIP122N*(1) TIP122T*(2)
Kończący się  *TIP122(2) *-TIP122(1)
Zawierający  *TIP122*(32)
Producent


TIP122 Arkusz danych, PDF

Wyszukiwanie numeru części : pasuje do wyrazu & zaczyna się od wyrazu "TIP122" - wyników : 96 ( 1/5 Page)
ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
ON Semiconductor
TIP122 ONSEMI-TIP122 Datasheet
144Kb/7P
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
November, 2014 ??Rev. 9
TIP122 ONSEMI-TIP122 Datasheet
114Kb/7P
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
November, 2007 - Rev. 7
logo
STMicroelectronics
TIP122 STMICROELECTRONICS-TIP122 Datasheet
616Kb/13P
Complementary power Darlington transistors
25-Nov-2008
TIP122 STMICROELECTRONICS-TIP122 Datasheet
53Kb/4P
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Mar-2000
logo
ON Semiconductor
TIP122 ONSEMI-TIP122 Datasheet
91Kb/7P
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
September, 2005 ??Rev. 6
logo
KEC(Korea Electronics)
TIP122 KEC-TIP122 Datasheet
224Kb/2P
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, HAMMER DRIVER,PULSE MOTOR DRIVER)
logo
Fairchild Semiconductor
TIP122 FAIRCHILD-TIP122 Datasheet
45Kb/4P
Medium Power Linear Switching Applications
logo
Unisonic Technologies
TIP122 UTC-TIP122 Datasheet
112Kb/3P
NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
logo
Boca Semiconductor Corp...
TIP122 BOCA-TIP122 Datasheet
28Kb/2P
Power Darlingtons for Linear and Switching Applications
logo
Diotec Semiconductor
TIP122 DIOTEC-TIP122 Datasheet
110Kb/2P
Si-Epitaxial Planar Darlington Power Transistors
logo
TRANSYS Electronics Lim...
TIP122 TEL-TIP122 Datasheet
80Kb/3P
PLASTIC POWER TRANSISTORS
TIP122 TEL-TIP122 Datasheet
57Kb/1P
Plastic-Encapsulated Transistors
logo
Multicomp Pro
TIP122 MULTICOMP-TIP122 Datasheet
1Mb/5P
Darlington Transistors
18/12/19 V1.0
logo
TAITRON Components Inco...
TIP122 TAITRON-TIP122 Datasheet
242Kb/4P
Darlington Power Transistors (NPN)
logo
Savantic, Inc.
TIP122 SAVANTIC-TIP122 Datasheet
127Kb/4P
Silicon NPN Darlington Power Transistors
logo
Dc Components
TIP122 DCCOM-TIP122 Datasheet
195Kb/1P
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR
logo
Rectron Semiconductor
TIP122 RECTRON-TIP122 Datasheet
76Kb/3P
TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
logo
SemiHow Co.,Ltd.
TIP122 SEMIHOW-TIP122 Datasheet
501Kb/5P
Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors
logo
Micro Commercial Compon...
TIP122 MCC-TIP122 Datasheet
359Kb/2P
NPN Silicon Transistors
logo
Power Innovations Ltd
TIP122 POINN-TIP122 Datasheet
157Kb/6P
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

12 3 4 5


12 3 4 5



Krótki opis TIP122


TIP122 to popularny tranzystor NPN Darlington, który jest szeroko stosowany w obwodach elektronicznych, szczególnie do zastosowań o wysokiej prądu. Jest częścią serii TIP tranzystorów i jest znany ze swojej zdolności do wzmacniania prądu i kontrolowania obciążeń dużej mocy. Oto kilka kluczowych funkcji i specyfikacji tranzystora TIP122:

Polaryzacja: NPN (ujemne ujemne ujemne).

TIP122 jest warstwą typu N pośrodku, umieszczoną między warstwami typu p na zewnątrz.
Maksymalny prąd kolektora (IC): zwykle oceniany przy 5A lub wyższej.

Jest to maksymalny prąd, który może przepłynąć z kolekcjonera do emitera, gdy tranzystor jest w stanie „ON”. TIP122 jest w stanie obsłużyć stosunkowo wysokie obciążenia prądu.
Maksymalne napięcie kolektora-emitera (VCEO): zwykle oceniane przy 100 V lub wyższych.

Jest to maksymalne napięcie, które można zastosować między zaciskami kolektora i emitera, gdy podstawa jest otwarta.
Wzmocnienie (HFE lub beta): zazwyczaj około 1000 lub więcej.

Zwiększenie, oznaczone jako „hfe” lub „beta”, reprezentuje zdolność wzmocnienia tranzystora. Pokazuje, ile prąd kolektora jest wzmacniany w porównaniu z prądem podstawowym.
Wysoki wzmocnienie: TIP122 zawiera konfigurację pary Darlington, która powoduje bardzo wysoki wzmocnienie i doskonałe wzmocnienie prądu.

Pakiet: TIP122 jest zazwyczaj dostępny w pakiecie TO-220 lub do 220AB, który zapewnia dobrą wydajność termiczną i ułatwia montaż do ciepła do chłodzenia.

Zastosowania: Tranzystor TIP122 jest powszechnie stosowany w zastosowaniach o wysokiej prądu i wysokiej mocy, takich jak sterowanie silnikiem, sterowniki przekaźnikowe, wzmacniacze energii i inne aplikacje wymagające przełączania o wysokiej prądu.

Rozpraszanie ciepła: TIP122 może wytwarzać ciepło podczas pracy, więc do zastosowań o dużej mocy może być konieczne odpowiednie zarządzanie ciepłem, w tym ciepło.

Odpowiednik dla TIP122


TIP122 to tranzystor mocy NPN Darlington powszechnie stosowany w zastosowaniach przełączających i wzmacniających. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem kolektor-emiter wynoszącym 100 V i ciągłym prądem kolektora wynoszącym 5 A. Odpowiednie zamienniki obejmują:

WSKAZÓWKA 120:

Tranzystor NPN Darlington podobny do TIP122.
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V.
Maksymalny prąd kolektora: 5A.
Nadaje się do zastosowań o niższym napięciu i podobnych wymaganiach prądowych.
WSKAZÓWKA 125:

Uzupełnienie PNP do TIP122.
Może być stosowany w konfiguracjach push-pull z TIP122.
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V.
Maksymalny prąd kolektora: 5A.
BD679:

Tranzystor NPN Darlington o podobnych specyfikacjach.
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V.
Maksymalny prąd kolektora: 4A.
Nieco niższe wartości znamionowe napięcia i prądu, ale nadają się do wielu zastosowań.
MJE13007:

Tranzystor NPN przeznaczony do zastosowań wysokonapięciowych i wysokoprądowych.
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V.
Maksymalny prąd kolektora: 8A.
Wymaga regulacji dla różnych konfiguracji pinów i charakterystyk.
IRFZ44N (alternatywa MOSFET):

N-kanałowy MOSFET odpowiedni do zastosowań przełączających.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55 V.
Ciągły prąd drenażowy: 49A.
W niektórych przypadkach wymaga napędu bramki na poziomie logicznym i jest bardziej wydajny przy przełączaniu.
IRF540N (alternatywa MOSFET):

N-kanałowy MOSFET oferujący wyższą wydajność przełączania.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100 V.
Ciągły prąd drenażowy: 33A.
Nadaje się do zastosowań o większej mocy i niższym rozpraszaniu ciepła.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com