MMA20312B Arkusz danych(PDF) - NXP Semiconductors

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

MMA20312B Arkusz danych (PDF) - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet PDF - NXP Semiconductors


Numer części	MMA20312B

Pobierz	MMA20312B Pobierz

Rozmiar pliku	678.66 Kbytes

Page	15 Pages

Producent	NXP [NXP Semiconductors]

Strona internetowa	http://www.nxp.com

Logo

Szczegółowy opis

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

MMA20312B Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

MMA20312B Datasheet PDF - NXP Semiconductors


Numer części	MMA20312B

Pobierz	MMA20312B Click to download

Rozmiar pliku	678.66 Kbytes

Page	15 Pages

Producent	NXP [NXP Semiconductors]

Strona internetowa	http://www.nxp.com

Logo

Szczegółowy opis	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

MMA20312B Arkusz danych (HTML) - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 1Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 2Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 3Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 4Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 5Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 6Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 7Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 8Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 9Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Datasheet HTML 10Page - NXP Semiconductors

MMA20312B Szczegóły Produktu

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA20312B is a 2-stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It is suitable for applications with frequencies from 1800 to 2200 MHz such as TD-SCDMA, PCS, UMTS and LTE. The amplifier is housed in a cost-effective, surface mount QFN plastic package.

Features
• Frequency: 1800-2200 MHz
• P1dB: 30.5 dBm @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
• Power Gain: 26.4 dB @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
• OIP3: 44.5 dBm @ 2140 MHz (W-CDMA Application Circuit)
• Active Bias Control (adjustable externally)
• Single 5 V Supply
• Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7-inch Reel.

Podobny numer części - MMA20312B

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Freescale Semiconductor...	MMA20312B	797Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMA20312B	787Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology
	MMA20312BT1	797Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMA20312BV	1Mb / 18P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology
NXP Semiconductors	MMA20312BV	901Kb / 18P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 9/2014

Podobny opis - MMA20312B

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Freescale Semiconductor...	MMG3001NT1	297Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMG3014NT1	356Kb / 17P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMG3003NT1	410Kb / 18P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
NXP Semiconductors	MMG3005NT1	456Kb / 20P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014
	MMG3006NT1	478Kb / 24P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 6, 12/2017
	MMG3012NT1	423Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 8, 9/2014
	MMG3H21NT1	367Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 3, 9/2014
	MMG3001NT1	388Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014
	MMG3015NT1	389Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 4, 9/2014
	MMZ25332B	640Kb / 19P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 5/2014

O NXP Semiconductors

NXP Semiconductors to publicznie notowana międzynarodowa firma, która projektuje, rozwija i produkuje szeroką gamę półprzewodników i zintegrowanych obwodów dla różnych aplikacji, w tym rynków motoryzacyjnych, przemysłowych, komunikacyjnych i konsumenckich.

Firma została założona w 2006 roku i ma siedzibę w Eindhoven w Holandii.

NXP oferuje szerokie portfolio produktów, w tym między innymi mikrokontrolery, mikroprocesory, bezpieczne układy uwierzytelniające, systemy zarządzania energią, RF i komponenty mikrofalowe oraz rozwiązania czujników.

Produkty firmy są zaprojektowane tak, aby były energooszczędne, bezpieczne i niezawodne, i są wykorzystywane w różnych aplikacjach, w tym w systemach motoryzacyjnych, automatyzacji i kontroli przemysłowej, inteligentnych domach i budynkach oraz podłączonych urządzeniach.

NXP jest poświęcony innowacjom i zadowoleniu klientów i jest zaangażowany w zapewnianie swoim klientom najlepszych rozwiązań półprzewodników w celu zaspokojenia ich potrzeb.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com