MMA20312B Arkusz danych(PDF)

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

MMA20312B Arkusz danych (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc


Numer części	MMA20312B

Pobierz	MMA20312B Pobierz

Rozmiar pliku	797.43 Kbytes

Page	15 Pages

Producent	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

Strona internetowa	http://www.freescale.com

Logo

Szczegółowy opis

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

MMA20312B Datasheet (PDF)

Pobierz Arkusz danych


Numer części	MMA20312B

Pobierz	MMA20312B Click to download

Rozmiar pliku	797.43 Kbytes

Page	15 Pages

Producent	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

Strona internetowa	http://www.freescale.com

Logo

Szczegółowy opis	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

MMA20312B Arkusz danych (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 1Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 2Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 3Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 4Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 5Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 6Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 7Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 8Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 9Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Datasheet HTML 10Page - Freescale Semiconductor, Inc

MMA20312B Szczegóły Produktu

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA20312B is a 2-stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell or repeater applications. It is suitable for applications with frequencies from 1800 to 2200 MHz such as TD-SCDMA, PCS, UMTS and LTE. The amplifier is housed in a cost-effective, surface mount QFN plastic package.

Features
• Frequency: 1800-2200 MHz
• P1dB: 30.5 dBm @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
• Power Gain: 26.4 dB @ 2140 MHz (CW Application Circuit)
• OIP3: 44.5 dBm @ 2140 MHz (W-CDMA Application Circuit)
• Active Bias Control (adjustable externally)
• Single 5 Volt Supply
• Cost-effective QFN Surface Mount Package
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.

Podobny numer części - MMA20312B

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Freescale Semiconductor...	MMA20312B	787Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology
NXP Semiconductors	MMA20312B	678Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 9/2014
Freescale Semiconductor...	MMA20312BT1	797Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
NXP Semiconductors	MMA20312BT1	678Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 9/2014
Freescale Semiconductor...	MMA20312BV	1Mb / 18P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology

More results

Podobny opis - MMA20312B

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Freescale Semiconductor...	MMG3001NT1	297Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMG3014NT1	356Kb / 17P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMG3003NT1	410Kb / 18P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
NXP Semiconductors	MMG3005NT1	456Kb / 20P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014
	MMG3006NT1	478Kb / 24P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 6, 12/2017
	MMG3012NT1	423Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 8, 9/2014
	MMG3H21NT1	367Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 3, 9/2014
	MMG3001NT1	388Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014
	MMG3015NT1	389Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 4, 9/2014
	MMZ25332B	640Kb / 19P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 5/2014

More results

O Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor była amerykańską firmą półprzewodników, która została założona w 1948 roku.
Firma była wiodącym dostawcą mikrokontrolerów, czujników i innych produktów półprzewodnikowych do różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.
Produkty Freescale były znane z wysokiej wydajności, niskiej zużycia energii i małej formy.
Firma została przejęta przez NXP Semiconductors w 2015 r., A jej produkty i technologie są nadal opracowywane i sprzedawane pod marką NXP.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]
O Alldatasheet \| Reklama \| Kontakt \| Polityka prywatności \| Link do karty katalogowej \| Linki \| Lista producentów All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com