Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

SCT20N120AG Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics
SCT20N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części SCT20N120AG
Pobierz  SCT20N120AG Pobierz
Rozmiar pliku   487.52 Kbytes
Page   13 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package

SCT20N120AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
SCT20N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części SCT20N120AG
Pobierz  SCT20N120AG Click to download

Rozmiar pliku   487.52 Kbytes
Page   13 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package

SCT20N120AG Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


SCT20N120AG Szczegóły Produktu

Description
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industrystandard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications. Product status link SCT20N120AG Product summary

Features
■ AEC-Q101 qualified
■ Very tight variation of on-resistance vs. temperature
■ Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
■ Very fast and robust intrinsic body diode
■ Low capacitance

Applications
■ Motor drives
■ EV chargers
■ High voltage DC-DC converters
■ Switch mode power supplies




Podobny numer części - SCT20N120AG

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 SCT20N120 STMICROELECTRONICS-SCT20N120 Datasheet
499Kb / 13P		 Very high operating temperature capability
17-Dec-2015
logo
Inchange Semiconductor ...		 SCT20N120H ISC-SCT20N120H Datasheet
369Kb / 2P		 SiC N-Channel MOSFET
logo
STMicroelectronics		 SCT20N120H STMICROELECTRONICS-SCT20N120H Datasheet
686Kb / 16P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H²PAK-2 package
13-Dec-2019
More results


Podobny opis - SCT20N120AG

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
More results




O STMicroelectronics

Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com