Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

STGYA50H120DF2 Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics

STGYA50H120DF2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części STGYA50H120DF2
Pobierz  STGYA50H120DF2 Pobierz
Rozmiar pliku   2182.63 Kbytes
Page   15 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package

STGYA50H120DF2 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
STGYA50H120DF2 Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części STGYA50H120DF2
Pobierz  STGYA50H120DF2 Click to download

Rozmiar pliku   2182.63 Kbytes
Page   15 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package

STGYA50H120DF2 Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


STGYA50H120DF2 Szczegóły Produktu

Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• 5 μs of short-circuit withstand time
• Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
• Tight parameter distribution
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Low thermal resistance
• Very fast recovery antiparallel diode

Description
This device is IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent
an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize
the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive
VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer
paralleling operation.

Applications
• UPS
• Solar inverters
• Welding
• PFC




Podobny numer części - STGYA50H120DF2

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics
STGYA50M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGYA50M120DF3 Datasheet
2Mb / 15P
Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT in a Max247 long leads package
01-Oct-2021
More results


Podobny opis - STGYA50H120DF2

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics
STGW15H120DF2 STMICROELECTRONICS-STGW15H120DF2 Datasheet
832Kb / 18P
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
04-Mar-2015
STGW15H120F2 STMICROELECTRONICS-STGW15H120F2 Datasheet
801Kb / 17P
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
01-Apr-2015
STGW25H120DF2 STMICROELECTRONICS-STGW25H120DF2 Datasheet
737Kb / 17P
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
06-Mar-2015
STGW25H120F2 STMICROELECTRONICS-STGW25H120F2 Datasheet
957Kb / 17P
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
23-Mar-2015
STGW40H120DF2 STMICROELECTRONICS-STGW40H120DF2 Datasheet
821Kb / 17P
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
28-Jun-2016
STGW40H120F2 STMICROELECTRONICS-STGW40H120F2 Datasheet
1,002Kb / 17P
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
25-Mar-2015
STGYA50M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGYA50M120DF3 Datasheet
2Mb / 15P
Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT in a Max247 long leads package
01-Oct-2021
STGYA75H120DF2 STMICROELECTRONICS-STGYA75H120DF2 Datasheet
2Mb / 15P
Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package
13-Oct-2021
STGWA50HP65FB2 STMICROELECTRONICS-STGWA50HP65FB2 Datasheet
542Kb / 15P
Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package
05-Dec-2019
STGYA120M65DF2AG STMICROELECTRONICS-STGYA120M65DF2AG Datasheet
2Mb / 14P
Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package
16-Nov-2022
More results




O STMicroelectronics


Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com