Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

STGYA50M120DF3 Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics
STGYA50M120DF3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części STGYA50M120DF3
Pobierz  STGYA50M120DF3 Pobierz
Rozmiar pliku   2175.94 Kbytes
Page   15 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT in a Max247 long leads package

STGYA50M120DF3 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
STGYA50M120DF3 Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części STGYA50M120DF3
Pobierz  STGYA50M120DF3 Click to download

Rozmiar pliku   2175.94 Kbytes
Page   15 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT in a Max247 long leads package

STGYA50M120DF3 Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


STGYA50M120DF3 Szczegóły Produktu

Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• 10 μs of short-circuit withstand time
• Low VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 50 A
• Tight parameter distribution
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Low thermal resistance
• Soft- and fast-recovery antiparallel diode

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss
and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)
temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.

Applications
• Industrial drives
• UPS
• Solar inverters
• General purpose inverter




Podobny numer części - STGYA50M120DF3

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 STGYA50H120DF2 STMICROELECTRONICS-STGYA50H120DF2 Datasheet
2Mb / 15P		 Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package
12-Jan-2022
More results


Podobny opis - STGYA50M120DF3

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 STGW15M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW15M120DF3 Datasheet
1Mb / 19P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
31-Oct-2014
STGW25M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW25M120DF3 Datasheet
1Mb / 18P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
31-Oct-2014
STGW40M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW40M120DF3 Datasheet
1Mb / 18P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
10-Nov-2014
STGP15M120F3 STMICROELECTRONICS-STGP15M120F3 Datasheet
429Kb / 15P		 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
01-Aug-2018
STGP8M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGP8M120DF3 Datasheet
343Kb / 15P		 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
19-Apr-2018
STGYA50H120DF2 STMICROELECTRONICS-STGYA50H120DF2 Datasheet
2Mb / 15P		 Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package
12-Jan-2022
STGYA75H120DF2 STMICROELECTRONICS-STGYA75H120DF2 Datasheet
2Mb / 15P		 Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package
13-Oct-2021
STGYA120M65DF2AG STMICROELECTRONICS-STGYA120M65DF2AG Datasheet
2Mb / 14P		 Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package
16-Nov-2022
GWA40MS120DF4AG STMICROELECTRONICS-GWA40MS120DF4AG Datasheet
340Kb / 15P		 Automotive-grade trench gate field-stop, 1200 V, 40 A, low-loss MS series IGBT in a TO-247 long leads package
01-Feb-2023
STG50M120F3D7 STMICROELECTRONICS-STG50M120F3D7 Datasheet
243Kb / 10P		 Trench gate field-stop 1200 V, 50 A low-loss M series IGBT die in D7 packing
17-Aug-2022
More results




O STMicroelectronics

Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com