Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

STG50M120F3D7 Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics
STG50M120F3D7 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części STG50M120F3D7
Pobierz  STG50M120F3D7 Pobierz
Rozmiar pliku   243.31 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Trench gate field-stop 1200 V, 50 A low-loss M series IGBT die in D7 packing

STG50M120F3D7 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
STG50M120F3D7 Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części STG50M120F3D7
Pobierz  STG50M120F3D7 Click to download

Rozmiar pliku   243.31 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Trench gate field-stop 1200 V, 50 A low-loss M series IGBT die in D7 packing

STG50M120F3D7 Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


STG50M120F3D7 Szczegóły Produktu

Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• 10 μs of short-circuit withstand time
• Low VCE(sat) = 1.7 V (typ.) @ IC = 50 A
• Tight parameter distribution
• Positive VCE(sat) temperature coefficient

Applications
• Industrial motor control
• Industrial drives
• Solar inverters
• Uninterruptable power supplies (UPS)

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss
and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)
temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.




Podobny numer części - STG50M120F3D7

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 STG5123 STMICROELECTRONICS-STG5123 Datasheet
493Kb / 18P		 Low voltage 1 Ω single SPDT switch with break-before-make feature
30-Oct-2007
STG5123DTR STMICROELECTRONICS-STG5123DTR Datasheet
493Kb / 18P		 Low voltage 1 Ω single SPDT switch with break-before-make feature
30-Oct-2007
STG5223 STMICROELECTRONICS-STG5223 Datasheet
328Kb / 19P		 Low voltage 0.5 Ω dual SPDT switch with break-before-make
10-Jan-2008
STG5223QTR STMICROELECTRONICS-STG5223QTR Datasheet
328Kb / 19P		 Low voltage 0.5 Ω dual SPDT switch with break-before-make
10-Jan-2008
STG5678 STMICROELECTRONICS-STG5678 Datasheet
588Kb / 23P		 Low voltage dual SPDT switch with negative rail capability
04-Jun-2010
More results


Podobny opis - STG50M120F3D7

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 STGWA50M65DF2 STMICROELECTRONICS-STGWA50M65DF2 Datasheet
971Kb / 16P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low loss
14-Jun-2016
STGW15M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW15M120DF3 Datasheet
1Mb / 19P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
31-Oct-2014
STGW25M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW25M120DF3 Datasheet
1Mb / 18P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
31-Oct-2014
STGW40M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW40M120DF3 Datasheet
1Mb / 18P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
10-Nov-2014
STG25H120F2D7 STMICROELECTRONICS-STG25H120F2D7 Datasheet
252Kb / 10P		 1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing
May 2015 Rev 1
STG200M65F2D8AG STMICROELECTRONICS-STG200M65F2D8AG Datasheet
292Kb / 11P		 Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D8 packing
04-May-2021
STG35M120F3D7 STMICROELECTRONICS-STG35M120F3D7 Datasheet
184Kb / 9P		 1200 V, 35 A, trench gate field-stop, M series, low-loss IGBT die in D7 packing
20-Feb-2018
STG15M120F3D8 STMICROELECTRONICS-STG15M120F3D8 Datasheet
224Kb / 8P		 1200 V, 15 A trench gate field‑stop M series low‑loss IGBT die in D8 packing
18-Jan-2022
STG15M120F3D7 STMICROELECTRONICS-STG15M120F3D7 Datasheet
263Kb / 10P		 Trench gate field-stop 1200 V, 15 A low-loss M series IGBT die in D7 packing
16-Aug-2022
STG60H65FBD7 STMICROELECTRONICS-STG60H65FBD7 Datasheet
428Kb / 10P		 Trench gate field-stop 650 V, 60 A high-speed HB series IGBT die in D7 packing
06-Jul-2023
More results




O STMicroelectronics

Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com