Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

STG35M120F3D7 Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics
STG35M120F3D7 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części STG35M120F3D7
Pobierz  STG35M120F3D7 Pobierz
Rozmiar pliku   184.01 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis 1200 V, 35 A, trench gate field-stop, M series, low-loss IGBT die in D7 packing

STG35M120F3D7 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
STG35M120F3D7 Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części STG35M120F3D7
Pobierz  STG35M120F3D7 Click to download

Rozmiar pliku   184.01 Kbytes
Page   9 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis 1200 V, 35 A, trench gate field-stop, M series, low-loss IGBT die in D7 packing

STG35M120F3D7 Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


STG35M120F3D7 Szczegóły Produktu

Features
• 10 μs of short-circuit withstand time
• Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 35 A
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Applications
• Motor control
• Industrial drives
• PFC
• UPS
• Solar
• General purpose inverter

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and
short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature
coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.




Podobny numer części - STG35M120F3D7

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 STG3155 STMICROELECTRONICS-STG3155 Datasheet
383Kb / 18P		 Low voltage 0.5廓 Max single SPDT switch with break-before-make feature
25-May-2007
STG3155DTR STMICROELECTRONICS-STG3155DTR Datasheet
383Kb / 18P		 Low voltage 0.5廓 Max single SPDT switch with break-before-make feature
25-May-2007
STG3157 STMICROELECTRONICS-STG3157 Datasheet
245Kb / 10P		 LOW VOLTAGE LOW ON RESISTANCE SPDT SWITCH WITH BREAK BEFORE MAKE FEATURE
Sep-2002
STG3157 STMICROELECTRONICS-STG3157 Datasheet
359Kb / 18P		 Low voltage low on-resistance SPDT switch with break-before-make feature
19-Apr-2010
STG3157CTR STMICROELECTRONICS-STG3157CTR Datasheet
245Kb / 10P		 LOW VOLTAGE LOW ON RESISTANCE SPDT SWITCH WITH BREAK BEFORE MAKE FEATURE
Sep-2002
More results


Podobny opis - STG35M120F3D7

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 STGW15M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW15M120DF3 Datasheet
1Mb / 19P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
31-Oct-2014
STGW25M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW25M120DF3 Datasheet
1Mb / 18P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
31-Oct-2014
STGW40M120DF3 STMICROELECTRONICS-STGW40M120DF3 Datasheet
1Mb / 18P		 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
10-Nov-2014
STG25H120F2D7 STMICROELECTRONICS-STG25H120F2D7 Datasheet
252Kb / 10P		 1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing
May 2015 Rev 1
STGP15M120F3 STMICROELECTRONICS-STGP15M120F3 Datasheet
429Kb / 15P		 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
01-Aug-2018
STG200M65F2D8AG STMICROELECTRONICS-STG200M65F2D8AG Datasheet
292Kb / 11P		 Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D8 packing
04-May-2021
STG15M120F3D8 STMICROELECTRONICS-STG15M120F3D8 Datasheet
224Kb / 8P		 1200 V, 15 A trench gate field‑stop M series low‑loss IGBT die in D8 packing
18-Jan-2022
STG15M120F3D7 STMICROELECTRONICS-STG15M120F3D7 Datasheet
263Kb / 10P		 Trench gate field-stop 1200 V, 15 A low-loss M series IGBT die in D7 packing
16-Aug-2022
STG50M120F3D7 STMICROELECTRONICS-STG50M120F3D7 Datasheet
243Kb / 10P		 Trench gate field-stop 1200 V, 50 A low-loss M series IGBT die in D7 packing
17-Aug-2022
STG60H65FBD7 STMICROELECTRONICS-STG60H65FBD7 Datasheet
428Kb / 10P		 Trench gate field-stop 650 V, 60 A high-speed HB series IGBT die in D7 packing
06-Jul-2023
More results




O STMicroelectronics

Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com