SCT018H65G3AG Arkusz danych(PDF) - STMicroelectronics

Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów

ALLDATASHEET.PL

X

SCT018H65G3AG Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics


Numer części	SCT018H65G3AG

Pobierz	SCT018H65G3AG Pobierz

Rozmiar pliku	390.98 Kbytes

Page	14 Pages

Producent	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Strona internetowa	http://www.st.com

Logo

Szczegółowy opis

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package

SCT018H65G3AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Pobierz Arkusz danych

SCT018H65G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics


Numer części	SCT018H65G3AG

Pobierz	SCT018H65G3AG Click to download

Rozmiar pliku	390.98 Kbytes

Page	14 Pages

Producent	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Strona internetowa	http://www.st.com

Logo

Szczegółowy opis	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package

SCT018H65G3AG Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Datasheet HTML 10Page - STMicroelectronics

SCT018H65G3AG Szczegóły Produktu

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with
low capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Podobny numer części - SCT018H65G3AG

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Beijing Yaohuadechang E...	SCT018R	610Kb / 1P	Split core current transformer
Inchange Semiconductor ...	SCT018W65G3-4AG	340Kb / 3P	SiC N-Channel MOSFET
STMicroelectronics	SCT018W65G3-4AG	506Kb / 12P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an HiP247-4 package 09-Jan-2024

Podobny opis - SCT018H65G3AG

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
STMicroelectronics	SCTH35N65G2V-7AG	620Kb / 15P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package 24-Jan-2020
	SCTW35N65G2VAG	206Kb / 12P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 09-Sep-2020
	SCT011H75G3AG	395Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package 08-Mar-2022
	SCT012H90G3AG	390Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package 27-Sep-2022
	SCT020H120G3AG	362Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package 27-Sep-2022
	SCT025H120G3AG	369Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package 28-Nov-2022
	SCT040H120G3AG	386Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package 14-Oct-2022
	SCT040H65G3AG	389Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package 21-Jan-2022
	SCT070H120G3AG	396Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package 04-Apr-2023
	SCTH60N120G2-7AG	356Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package 02-Aug-2021

O STMicroelectronics

Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.

Link URL

Czy Alldatasheet okazała się pomocna? [ DONATE ]

O Alldatasheet | Reklama | Kontakt | Polityka prywatności | Link do karty katalogowej | Linki | Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com