Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

SCTH60N120G2-7AG Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics

SCTH60N120G2-7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części SCTH60N120G2-7AG
Pobierz  SCTH60N120G2-7AG Pobierz
Rozmiar pliku   356.41 Kbytes
Page   14 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package

SCTH60N120G2-7AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
SCTH60N120G2-7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części SCTH60N120G2-7AG
Pobierz  SCTH60N120G2-7AG Click to download

Rozmiar pliku   356.41 Kbytes
Page   14 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package

SCTH60N120G2-7AG Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


SCTH60N120G2-7AG Szczegóły Produktu

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Source sensing pin for increased efficiency
Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




Podobny numer części - SCTH60N120G2-7AG

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics
SCTH100N120G2-AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N120G2-AG Datasheet
439Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
23-Jul-2020
SCTH100N65G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N65G2-7AG Datasheet
623Kb / 15P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 95 A, 20 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
27-Nov-2018
logo
List of Unclassifed Man...
SCTH2010-100 ETC2-SCTH2010-100 Datasheet
278Kb / 1P
SMD POWER INDUCTORS
SCTH2010-150 ETC2-SCTH2010-150 Datasheet
278Kb / 1P
SMD POWER INDUCTORS
SCTH2010-1R0 ETC2-SCTH2010-1R0 Datasheet
278Kb / 1P
SMD POWER INDUCTORS
More results


Podobny opis - SCTH60N120G2-7AG

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7AG Datasheet
620Kb / 15P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
24-Jan-2020
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT011H75G3AG STMICROELECTRONICS-SCT011H75G3AG Datasheet
395Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package
08-Mar-2022
SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS-SCT012H90G3AG Datasheet
390Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT020H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT020H120G3AG Datasheet
362Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mΩ typ., 100 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
More results




O STMicroelectronics


Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com