Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

IRG4RC10SD Arkusz danych (PDF) - International Rectifier
IRG4RC10SD Datasheet PDF - International Rectifier
Numer części IRG4RC10SD
Pobierz  IRG4RC10SD Pobierz
Rozmiar pliku   189.76 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  IRF [International Rectifier]
Strona internetowa  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Szczegółowy opis INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

IRG4RC10SD Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
IRG4RC10SD Datasheet PDF - International Rectifier

Numer części IRG4RC10SD
Pobierz  IRG4RC10SD Click to download

Rozmiar pliku   189.76 Kbytes
Page   10 Pages
Producent  IRF [International Rectifier]
Strona internetowa  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Szczegółowy opis INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

IRG4RC10SD Arkusz danych (HTML) - International Rectifier


IRG4RC10SD Szczegóły Produktu

Features
• Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3
    KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4
    KHz in brushless DC drives.
• Tight parameter distribution
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
    ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use
    in bridge configurations
• Industry standard TO-252AA package
   
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies
    available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
    IGBTs . Minimized recovery characteristics require
    less/no snubbing
• Lower losses than MOSFETs conduction and
    Diode losses
   




Podobny numer części - IRG4RC10SD

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
International Rectifier		 IRG4RC10SDPBF IRF-IRG4RC10SDPBF Datasheet
353Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10SDPBF IRF-IRG4RC10SDPBF Datasheet
353Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10SDPBF IRF-IRG4RC10SDPBF_15 Datasheet
353Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
More results


Podobny opis - IRG4RC10SD

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
International Rectifier		 IRG4BC10S IRF-IRG4BC10S Datasheet
157Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
IRG4BC10SD-S IRF-IRG4BC10SD-S Datasheet
217Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
IRG4BC10UD IRF-IRG4BC10UD Datasheet
184Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4BC15MD IRF-IRG4BC15MD Datasheet
256Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A)
IRG4BC15UD-S IRF-IRG4BC15UD-S Datasheet
210Kb / 12P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A)
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20UDS IRF-IRG4BC20UDS Datasheet
235Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
IRG4BC30UD IRF-IRG4BC30UD Datasheet
234Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC30KD IRF-IRG4PC30KD Datasheet
178Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4RC10S IRF-IRG4RC10S Datasheet
120Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)
More results




O International Rectifier

Międzynarodowy prostownik (IR) był amerykańską firmą specjalizującą się w projektowaniu i produkcji półprzewodników zarządzania energią i kontroli energii.
Firma została założona w 1947 roku i miała siedzibę w El Segundo w Kalifornii.
IR dostarczyło szeroką gamę produktów, w tym ICS zarządzania energią, mocy mocy, IGBT i inne produkty sterujące energią.
Produkty firmy były używane w różnych aplikacjach, takich jak obliczenia, telekomunikacja i automatyzacja przemysłowa.
IR był znany ze swojej wiedzy specjalistycznej w zakresie zarządzania energią i technologią kontroli oraz zdolności do dostarczania wysokiej jakości i niezawodnych produktów dla swoich klientów.
W 2014 r. IR został przejęty przez Infineon Technologies, wiodący dostawca produktów zarządzania energią i kontrolą oraz inne rozwiązania półprzewodników.
Międzynarodowa marka prostowników nie jest już używana, ale jej technologia i produkty są nadal częścią portfela Infineon.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com