MRFG35010NT1 pdf, MRFG35010NT1 Szczegółowy opis, MRFG35010NT1 Arkusz danych, MRFG35010NT1 view ::: ALLDATASHEET :::

Numer części	MRFG35010NT1

Szczegółowy opis	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

Rozmiar pliku	173.43 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

Producent	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

Strona internetowa	http://www.freescale.com

Logo

Podobny numer części - MRFG35010NT1

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Freescale Semiconductor...	MRFG35010N	190Kb / 12P	RF Power Field Effect Transistor

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Freescale Semiconductor...	MRFG35002N6T1	193Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35002N6AT1	187Kb / 11P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35003N6AT1	221Kb / 11P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35005MT1	132Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35003M6T1	132Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35003ANT1	473Kb / 18P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35005ANT1	452Kb / 13P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
	MRFG35010MT1	516Kb / 12P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
NXP Semiconductors	MRFG35010AN	1Mb / 25P	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor Rev. 4, 8/2013
NXP Semiconductors	MRFG35010A	490Kb / 18P	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor Rev. 2, 12/2008