PTF210451 pdf, PTF210451 Szczegółowy opis, PTF210451 Arkusz danych, PTF210451 view ::: ALLDATASHEET :::

Numer części	PTF210451

Szczegółowy opis	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Rozmiar pliku	406.9 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8

Producent	INFINEON [Infineon Technologies AG]

Strona internetowa	http://www.infineon.com

Logo

Podobny numer części - PTF210451

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Infineon Technologies A...	PTF210451E	263Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz Rev. 06, 2008-02-13
Infineon Technologies A...	PTF210451F	263Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz Rev. 06, 2008-02-13

Producent	Numer części	Arkusz danych	Szczegółowy opis
Infineon Technologies A...	PTF210301	337Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz 2003-12-22
	PTF210901	266Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz 2004-01-16
	PTF211301	449Kb / 9P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz 2004-01-02
	PTF211802	169Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz 2004-02-13
Tyco Electronics	MAPLST2122-030CF	162Kb / 5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 30W, 28V
Tyco Electronics	MAPLST2122-060CF	172Kb / 5P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 2110 - 2170 MHz, 60W, 28V
Infineon Technologies A...	PTF210101M	276Kb / 8P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 02.1, 2009-02-18
	PTFB213004F	674Kb / 16P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110-2170 MHz Rev. 05.2, 2010-12-09
	PTFB213004F	740Kb / 16P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 05.3, 2016-06-15
Cree, Inc	PTFB213004F	528Kb / 16P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz