Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

SCTHS250N65G3 Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics

SCTHS250N65G3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części SCTHS250N65G3
Pobierz  SCTHS250N65G3 Pobierz
Rozmiar pliku   301.65 Kbytes
Page   12 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package

SCTHS250N65G3 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
SCTHS250N65G3 Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części SCTHS250N65G3
Pobierz  SCTHS250N65G3 Click to download

Rozmiar pliku   301.65 Kbytes
Page   12 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package

SCTHS250N65G3 Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


SCTHS250N65G3 Szczegóły Produktu

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Source sensing pin for increased efficiency
Application
• Main inverter (electric traction)
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with
low capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




Podobny numer części - SCTHS250N65G3

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics
SCTHS250N120G3AG STMICROELECTRONICS-SCTHS250N120G3AG Datasheet
323Kb / 11P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package
24-Jun-2024
More results


Podobny opis - SCTHS250N65G3

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics
SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7AG Datasheet
620Kb / 15P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
24-Jan-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS-SCT012H90G3AG Datasheet
390Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
More results




O STMicroelectronics


Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com