Zakładka z wyszukiwarką danych komponentów
  Polish  ▼
ALLDATASHEET.PL

X  

Preview PDF HTML

SCT040TO65G3 Arkusz danych (PDF) - STMicroelectronics
SCT040TO65G3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Numer części SCT040TO65G3
Pobierz  SCT040TO65G3 Pobierz
Rozmiar pliku   1527.22 Kbytes
Page   15 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Pobierz Arkusz danych
SCT040TO65G3 Datasheet PDF - STMicroelectronics

Numer części SCT040TO65G3
Pobierz  SCT040TO65G3 Click to download

Rozmiar pliku   1527.22 Kbytes
Page   15 Pages
Producent  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Strona internetowa  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Szczegółowy opis Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3 Arkusz danych (HTML) - STMicroelectronics


SCT040TO65G3 Szczegóły Produktu

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Switching mode power supply
• DC-DC converters

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




Podobny numer części - SCT040TO65G3

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 SCT040H120G3-7 STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3-7 Datasheet
372Kb / 14P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
09-Aug-2023
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
SCT040H65G3SAG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3SAG Datasheet
227Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 m typ., 30 A in an H2PAK-7 straight leads package
14-Feb-2022
SCT040HU120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040HU120G3AG Datasheet
623Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an HU3PAK package
16-Sep-2024
More results


Podobny opis - SCT040TO65G3

ProducentNumer częściArkusz danychSzczegółowy opis
logo
STMicroelectronics		 SCTL35N65G2V STMICROELECTRONICS-SCTL35N65G2V Datasheet
323Kb / 14P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
02-Dec-2020
SCTL90N65G2V STMICROELECTRONICS-SCTL90N65G2V Datasheet
319Kb / 14P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mΩ typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
10-Dec-2020
STO68N65DM6 STMICROELECTRONICS-STO68N65DM6 Datasheet
1Mb / 15P		 N-channel 650 V, 53 m typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO‑LL package
06-May-2021
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTWA70N120G2V STMICROELECTRONICS-SCTWA70N120G2V Datasheet
229Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A
10-Oct-2022
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
SCTHS250N65G3 STMICROELECTRONICS-SCTHS250N65G3 Datasheet
301Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package
05-Oct-2022
More results




O STMicroelectronics

Stmicroelectronics to międzynarodowy producent elektroniki i półprzewodników z siedzibą w Genewie w Szwajcarii.

Firma oferuje szeroką gamę produktów, w tym mikrokontrolery, czujniki, wzmacniacze energetyczne i obwody zintegrowane dla różnych zastosowań na rynkach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckich.

Założona w 1987 r. Stmicroelectronics prowadzi działalność w ponad 100 krajach i jest jedną z największych firm półprzewodników na świecie.

*Niniejsze informacje służą wyłącznie celom informacyjnym, nie ponosimy odpowiedzialności za jakiekolwiek straty lub szkody spowodowane przez powyższe informacje.




Link URL



Czy Alldatasheet okazała się pomocna?  [ DONATE ] 

O Alldatasheet   |   Reklama   |   Kontakt   |   Polityka prywatności   |   Link do karty katalogowej    |   Linki   |   Lista producentów
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com